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元件参数资料
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参数目录50424
> GDZT2R4.7 DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
型号:
GDZT2R4.7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
DIODE ZENER 4.7V 100MW GMD2
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
GDZT2R4.7 PDF
产品目录绘图
Zener Diode GMD2
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
4.7V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
-
电流 - 在 Vr 时反向漏电
2µA @ 1V
容差
±5%
功率 - 最大
100mW
阻抗(最大)(Zzt)
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
GMD2
供应商设备封装
GMD2
包装
剪切带 (CT)
工作温度
-55°C ~ 125°C
产品目录页面
1649 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
GDZT2R4.7CT
查看GDZT2R4.7代理商
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